光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過(guò)率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過(guò)n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過(guò)率，從而造成較大的光輸出功率衰減。17發(fā)光面COB光源LED集成光源和COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的17發(fā)光面COB光源

我認(rèn)為COB光源需要不斷提高性價(jià)比，才能擴(kuò)大其應(yīng)用范圍：首先，COB基板導(dǎo)熱性能要提高，出光效率要提升，這樣集成度會(huì)增加，單位面積的功率可以做的更高；其次，需要繼續(xù)提高性價(jià)比，尤其是中功率芯片，COB的大部分成本由芯片決定；再則，提升COB生產(chǎn)設(shè)備自動(dòng)化程度，目前COB生產(chǎn)設(shè)備自動(dòng)化程度不高，其生產(chǎn)效率低下，生產(chǎn)成本偏高。。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的COB光源也會(huì)用到1瓦以上的大功率LED芯片。

目前LED17發(fā)光面COB光源芯片封裝技術(shù)已經(jīng)形成幾個(gè)流派，不同的技術(shù)17發(fā)光面COB光源對(duì)應(yīng)不同的應(yīng)用，都有其獨(dú)特之處。

此外，材料、制造設(shè)備的改進(jìn)與COB的發(fā)展相輔相成，也加速了COB性價(jià)比的提升，顯現(xiàn)出其在商業(yè)照明領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。

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17發(fā)光面COB光源COB與傳統(tǒng)LEDSMD比較背景：LED自進(jìn)入照明領(lǐng)域，最初形式是燈珠直接焊接在板上，先3528，5050，再后來(lái)3014，283517發(fā)光面COB光源相對(duì)優(yōu)勢(shì)有：生產(chǎn)制造效率優(yōu)勢(shì)封裝在生產(chǎn)流程上和傳統(tǒng)SMD生產(chǎn)流程基本相同，在固晶，焊線流程上和SMD封裝效率基本相當(dāng)，但是在點(diǎn)膠，分離，分光，包裝上，COB封裝的效率，要比SMD類產(chǎn)品高出很多，傳統(tǒng)SMD封裝人工和制造費(fèi)用大概占物料成本的15%，COB封裝人工和制造費(fèi)用大概占物料成本的10%，采用COB封裝，人工和制造費(fèi)用可節(jié)省5%。。但這種方式的弊端是工序繁多，又是LED封裝又是SMT，成本高，更有傳熱等問(wèn)題。所以COB在這個(gè)時(shí)候被引進(jìn)了LED領(lǐng)域。