Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹脂)覆蓋硅片安放點(diǎn)，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。COB光源與LED現(xiàn)在LED的COB封裝，都是基于里基板的封裝基礎(chǔ)，就是在里基板上把N個(gè)芯片繼承集成在一起進(jìn)行封裝，基板的襯底下面是銅箔，銅箔只能很好的通電COB光源與LED

對于COB光源，早在其誕生之初，業(yè)界就普遍看好。但是受制于早期COB可靠性不好、光效不高、光衰大、價(jià)格昂貴等問題，COB光源的市場推廣并沒有得到突破。到2014年，這一局面有所改觀，國內(nèi)主流封裝廠對COB光源技術(shù)的研發(fā)日益成熟，市場對COB光源的需求日益旺盛，COB光源的性價(jià)比也日趨合理。在市場上，企業(yè)和商家選取COB光源是根據(jù)自身的燈具設(shè)定光效下限，再談價(jià)格。光效低，價(jià)格高，都不行。，不能做很好的光學(xué)處理.MCOB和傳統(tǒng)的不同，MCOB技術(shù)是芯片直接放在光學(xué)的杯子里面的，是根據(jù)光學(xué)做出來的，不僅是一個(gè)杯，要做好多個(gè)杯，LED芯片光是集中在芯片內(nèi)部的，要讓光能更多的跑出來，需要非常多的角，就是說出光的口越多越好，效率就能提升.COB光源與LED在散熱方面（以鋁基板為例）：由上圖可以看到MCOB的鋁基板焊接的芯片沒有絕緣層，熱量直接導(dǎo)入鋁層上，而鋁層導(dǎo)熱率271~320w/m.kCOB光源與LED

COB光源是一種新技術(shù)封裝的LED發(fā)光器件，相對于傳統(tǒng)LED它有多種優(yōu)勢。COB光源是生產(chǎn)商將多個(gè)LED晶片直接固到基板上組合而成的單個(gè)發(fā)光模塊。因?yàn)?a href="http://hsmd.com.cn/product8.html" target="_blank">COB光源使用的是多個(gè)LED晶片直接固在散熱基板上，它與傳統(tǒng)的LED封裝方式不同，因此這些LED晶片貼片封裝后占用的空間極小，且緊密組合的LED晶片能最大化的高效發(fā)光，所以當(dāng)COB光源通電后看不出獨(dú)立的單個(gè)發(fā)光點(diǎn)而更像是一整塊發(fā)光板。。熱量快速導(dǎo)出，延長平面光源使用壽命。COB鋁基板的芯片熱量有絕緣層的熱阻，而絕緣層的導(dǎo)熱率為0.4~3.0w/m.k，這樣阻撓芯片的熱量往下傳遞。散熱比MCOB平面光源要慢很多。

COB光源與LED3、同樣基于COB的小面積大功率，所以不可避免地存在眩光問題，基本上使用COB燈具都必須配一個(gè)非常深的燈杯，除了配光需要更是為了防止過于強(qiáng)烈的眩光COB光源與LED現(xiàn)在國產(chǎn)cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進(jìn)入到2014年以后，國產(chǎn)和進(jìn)口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應(yīng)當(dāng)前商照市場需求。。既然COB有這么多毛病為毛倒成了射燈的主要光源呢？很簡單，因?yàn)镃OB的產(chǎn)品形態(tài)最接近傳統(tǒng)光源，所以原有的燈杯，燈具，設(shè)計(jì)方式都可以照搬。