LED燈珠晶片的主要技術(shù)參數(shù)：
A、晶片的伏安特性圖；
B、正向電壓（VF）：施加在晶片兩端，使晶片正向?qū)ǖ碾妷骸４穗妷号c晶片本身和測試電流存在相應(yīng)的關(guān)系。VF過大，會使晶片被擊穿。
C、正向電流（IF）：晶片在施加一定電壓后，所產(chǎn)生的正向?qū)娏鳌F的大小，與正向電壓的大小有關(guān)。晶片的工作電流在10-20mA左右。
D、反向電壓（VR）：施加在晶片上的反向電壓。
E、反向電流（IR）：是指晶片在施加反向電壓后，所產(chǎn)生的一個漏電流。此電流越小越好。因為電流大了容易造成晶片被反向擊穿。微信公眾號：深圳LED商會
F、亮度（IV）：指光源的明亮程度。單位換算：1cd=1000mcd
G、波長：反映晶片的發(fā)光顏色。不同波長的晶片其發(fā)光顏色不同。單位：nm
