我認(rèn)為COB光源需要不斷提高性價比，才能擴(kuò)大其應(yīng)用范圍：首先，COB基板導(dǎo)熱性能要提高，出光效率要提升，這樣集成度會增加，單位面積的功率可以做的更高;其次，LED芯片需要繼續(xù)提高性價比，尤其是中功率芯片，COB的大部分成本由芯片決定;再則，提升COB生產(chǎn)設(shè)備自動化程度，目前COB生產(chǎn)設(shè)備自動化程度不高，其生產(chǎn)效率低下，生產(chǎn)成本偏高。COB光源和LEDLED集成光源和COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的COB光源和LED

2、發(fā)光面溫度實(shí)測為進(jìn)一步從實(shí)驗(yàn)上研究COB光源的熱分布，選用我司14年主推的一款定型產(chǎn)品作為實(shí)驗(yàn)研究對象，該款光源選用是的高反射率鏡面鋁為基板，這種封裝結(jié)構(gòu)一方面可大幅提高出光效率，另一方面封裝形式采用熱電分離的形式，沒有普通鋁基板的絕緣層作為阻攔，可進(jìn)一步降低熱阻和結(jié)溫，實(shí)現(xiàn)COB光源高光通量密度輸出。。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。COB光源和LED在當(dāng)時的環(huán)境下，研發(fā)COB有其合理性，這和后來COB的再開發(fā)有本質(zhì)區(qū)別。COB在2012年，是作為一種全新的光源被再次“發(fā)明”了出來的COB光源和LED

熒光膠的溫度高于芯片溫度是因?yàn)?a href="http://hsmd.com.cn/product8.html" target="_blank">COB光源的芯片數(shù)量和排列密度高于比普通的SMD器件，通過熒光膠的光能量密度明顯高于SMD器件，熒光粉和硅膠都會吸收一部分的藍(lán)光轉(zhuǎn)換成熱，加上硅膠熱容與熱導(dǎo)率較小，導(dǎo)致熒光膠的溫度急劇上升，因此COB光源工作時熒光膠的溫度會遠(yuǎn)高于芯片溫度。。其動因是市場對LED產(chǎn)品長期停滯不前的失望。然而，COB的技術(shù)問題并沒有隨著時間而改善，依舊被封裝和大功率的質(zhì)量穩(wěn)定性阻礙其發(fā)展。

COB光源和LED因此為有效研究COB光源表面的熱分布，建議選用紅外熱成像儀進(jìn)行非接觸測量COB光源和LED

COB光源可應(yīng)用的范圍很廣。

。由于COB光源發(fā)光面的溫度高于普通SMD器件，因此在封裝工藝和材料選擇上較SMD器件嚴(yán)苛，尤其對熒光粉和硅膠的耐溫性提出了更高的要求。