2、發(fā)光面溫度實(shí)測(cè)為進(jìn)一步從實(shí)驗(yàn)上研究COB光源的熱分布，選用我司14年主推的一款定型產(chǎn)品作為實(shí)驗(yàn)研究對(duì)象，該款光源選用是的高反射率鏡面鋁為基板，這種封裝結(jié)構(gòu)一方面可大幅提高出光效率，另一方面封裝形式采用熱電分離的形式，沒(méi)有普通鋁基板的絕緣層作為阻攔，可進(jìn)一步降低熱阻和結(jié)溫，實(shí)現(xiàn)COB光源高光通量密度輸出。全光譜LEDCOB光源2、COB的第二個(gè)缺點(diǎn)是光效。由于在一個(gè)狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片，所以單顆芯片所發(fā)出的靠近水平方向的光會(huì)遇到相鄰芯片而不斷形成全反射，最后被封裝材料吸收，不能發(fā)射出去全光譜LEDCOB光源

光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過(guò)率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過(guò)n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過(guò)率，從而造成較大的光輸出功率衰減。。而對(duì)于SMD，只要間距合理，就不存在這個(gè)問(wèn)題(見(jiàn)圖2)。正是這個(gè)全反射使得COB的發(fā)光效率從一開(kāi)始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時(shí)，封裝材料吸收水平方向光線所帶來(lái)的熱量和芯片密集排列本身產(chǎn)生的熱量疊加，導(dǎo)致COB工作溫度偏高，再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片，COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。全光譜LEDCOB光源MCOB技術(shù)將LED芯片封裝進(jìn)光學(xué)的杯子里，學(xué)習(xí)了LEDSMD器件點(diǎn)膠精粹，在每個(gè)單一芯片上涂覆熒光粉并完成點(diǎn)膠等工序，使用此種方法熒光粉的使用量將極大地減少全光譜LEDCOB光源

圖1：熱阻結(jié)構(gòu)示意圖1、常用溫度測(cè)量方法比較常用的溫度傳感器類(lèi)型有熱電偶、熱電阻、紅外輻射器等。熱電偶是由兩條不同的金屬線組成，一端結(jié)合在一起，該連接點(diǎn)處的溫度變化會(huì)引起另外兩端之間的電壓變化，通過(guò)測(cè)量電壓即可反推出溫度。熱電阻利用材料的電阻隨材料的溫度變化的機(jī)理，通過(guò)間接測(cè)量電阻計(jì)算出溫度。。同時(shí)LED芯片發(fā)光是集中在芯片內(nèi)部，MCOB平面光源是多杯集成芯片，提供更多的出光口，讓光充分多角度發(fā)出來(lái)，光效率明顯提升。

全光譜LEDCOB光源它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發(fā)光芯片的結(jié)溫；全光譜LEDCOB光源圖2：錯(cuò)誤的溫度測(cè)量方式因此，為避免光對(duì)熱電偶的影響，建議使用紅外熱成像儀進(jìn)行溫度測(cè)量，紅外熱成像儀除具有響應(yīng)時(shí)間快、非接觸、無(wú)需斷電、快速掃描等優(yōu)點(diǎn)，還可以實(shí)時(shí)顯示待測(cè)物體的溫度分布。紅外測(cè)溫原理是基于斯特藩—玻耳茲曼定理，可用以下公式表示。